一种低温漂低功耗的带隙基准源的设计

• 作者: 何荣 吕坚 蒋亚东
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 带隙基准 低温漂 低功耗 CMOS
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 4-7
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.04.002

摘要

设计一种低温漂低功耗的带隙基准结构,在传统带隙基准核心电路结构上增加一对PNP管,两个双极型晶体管叠加的结构减小了运放的失调电压对输出电压的影响,降低了基准电压的温度失调系数.电路设计与仿真基于CSMC0.5μm CMOS工艺,经流片,测得室温下带隙基准输出电压为1.326 65 V,在-40～+85℃范围内的温度系数为2.563 ppm/℃;在3.3 V电源电压下,整个电路的功耗仅为2.81μW;在2～4 V之间的电源调整率为206.95 ppm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
2	吕坚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	35	246	10.0	13.0
3	何荣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	8	1.0	1.0