一种减少VDMOS寄生电容的新结构

• 作者: 夏洋 郭丽莎
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: VDMOS 电容 TCAD 开关时间
• 年，卷（期）: 2009,（20）
• 所属期刊栏目: 元器件与应用
• 页码范围: 200-202
• 页数: 3页
• 分类号: TN710
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.20.065

摘要

分析影响VDMOS开关特性的各部分电容结构及参数,为了减少寄生电容,提高开关速度,在此提出一种减少VDMOS寄生电容的新型结构.该方法是部分去除传统VDMOS的neck区多晶硅条,并利用多晶硅作掩模注入P型区,改变VDMOS栅下耗尽区形状,减小寄生电容.在此增加了neck区宽度,并增加了P阱注入.利用TCAD工具模拟,结果表明:这种新型结构与传统VDMOS相比,能有效减小器件的寄生电容,减少橱电荷量,提高开关时间,提高器件的动态性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	夏洋	中国科学院微电子研究所	67	325	9.0	14.0
2	郭丽莎	中国科学院微电子研究所	1	6	1.0	1.0