UHF频段无源RFID标签前端倍压电路设计

• 作者: 孙玲 景为平
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 射频识别 倍压电路 无源标签 CMOS集成电路
• 年，卷（期）: 2009,（14）
• 所属期刊栏目: RFID射频识别
• 页码范围: 194-196
• 页数: 3页
• 分类号: TN492
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2009.14.079

摘要

基于0.5μm双阱标准CMOS工艺,完成了一种适用于UHF频段无源RFID标签的倍压电路设计.该电路利用置于P阱中的NMOS管连接成二极管形式取代传统倍压电路中的肖特基二极管,避免了工艺上的特殊要求,与同工艺上PMOS管连接的二极管相比,有更低的开启电压.电路仿真结果表明,使用二极管连接的NMOS管能够满足倍压电路的设计要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	景为平	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	55	267	9.0	13.0
2	孙玲	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	68	237	8.0	11.0