GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应

• 作者: 何世禹 吴宜勇 杨德庄 胡建民 钱勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaInP/GaAs/Ge太阳电池 电子辐照 电学性能 光谱响应
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 5051-5056
• 页数: 6页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.107

摘要

研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池电学性能发生明显衰降的主要原因是其GaAs子电池的严重损伤造成的,而GaAs子电池的损伤主要表现为基区底部光生载流子收集效率的明显衰降.提高GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池抗辐照能力的关键在于尽可能地减小GaAs子电池的基区损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何世禹	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	122	1160	17.0	24.0
2	胡建民	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	37	135	7.0	10.0
4	杨德庄	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	96	1343	20.0	30.0
5	吴宜勇	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	14	126	7.0	11.0
8	钱勇		3	40	3.0	3.0