一种高可靠性上电复位芯片的设计

• 作者: 李富华 王汉祥 谢卫国
• 来源期刊: 现代电子技术
• 关键词: 上电复位 带隙基准 温度系数 运算跨导放大器 激光调整
• 年，卷（期）: 2009,（2）
• 所属期刊栏目: 集成微系统
• 页码范围: 12-15
• 页数: 4页
• 分类号: TP368.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.02.004

摘要

为了解决传统上电复位电路二次上电时易失效的问题,提出以比较器结构为基础,由带隙基准、电阻网络和逻辑电路等组成的高可靠性的上电复位解决方案.并增加复位延时电路,进一步提高复位可靠性.使用0.6 μm双层多晶硅N阱CMOS工艺模型,利用HSpice对其功能仿真,结果表明该电路3.3 V工作电压下的阈值电压为3.08 V,复位延时时间为100 ms,能稳定可靠地提供复位信号,可适用于电脑、微控制器以及便携式电子产品的电源监控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李富华	苏州大学电子信息学院	27	138	7.0	10.0
2	王汉祥	苏州大学电子信息学院	3	11	2.0	3.0
3	谢卫国	苏州大学电子信息学院	3	23	3.0	3.0