等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化

• 作者: 刘正堂 李阳平
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 化学
• 关键词: GaP薄膜 射频磁控溅射 等离子体发射光谱 红外透射
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 5022-5028
• 页数: 7页
• 分类号: O6
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.102

摘要

以GaP为靶材、Ar为工作气体,采用射频磁控溅射法制备了厚层GaP膜.对沉积过程中的辉光放电等离子体进行了发射光谱诊断,发现只有ArⅠ发射谱线.研究了工艺参数对发射谱线强度的影响规律,并在此基础上通过同时改变射频功率、Ar气流量及工作气压,使ArⅠ发射谱线强度保持相同.发现通过增大射频功率、减小工作气压而保持ArⅠ发射谱线强度不变可以提高GaP膜的沉积速率,并使GaP膜的沉积工艺参数得到优化.在优化后的工艺参数下制备出了符合化学计量比、红外透过性能好的厚层GaP膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李阳平	西北工业大学材料学院	25	201	8.0	13.0
2	刘正堂	西北工业大学材料学院	120	749	14.0	21.0