应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

• 作者: 宋建军 宣荣喜 张志锋 张鹤鸣 胡辉勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变硅 阈值电压 电势分布 反型层
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 4948-4952
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.089

摘要

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si 沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系. 分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大. 该模型为应变Si 器件阈值电压设计提供了重要参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡辉勇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	64	367	10.0	15.0
2	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
3	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	204	9.0	12.0
4	宣荣喜	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	22	172	8.0	12.0
5	张志锋	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	12	1.0	1.0