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摘要:
采用分子动力学(MD)模拟方法,从原子尺度上研究了离子束辅助沉积(IBAD)类金刚石(DLC)薄膜过程中离子束入射角对薄膜结构的影响.重点讨论了不同的离子束入射角所对应的薄膜表面模型,平均密度和sp3键含量.结果表明,离子束斜入射加强了入射原子的水平动能,从而加强了原子水平迁移;Ar离子斜入射时C原子迁移率均比垂直入射大,薄膜密度和sp3键含量都比垂直入射小.不同的离子束入射角随着到达比和入射能的变化,对薄膜结构的影响不同.离子束斜入射时可以得到不同结构的膜.
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文献信息
篇名 斜入射离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的分子动力学模拟
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 类金刚石薄膜 入射角 离子束辅助沉积 分子动力学模拟
年,卷(期) 2009,(7) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 4888-4894
页数 7页 分类号 O4
字数 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.079
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 开花 内蒙古民族大学物理与电子信息学院 4 6 2.0 2.0
2 李运超 内蒙古民族大学物理与电子信息学院 4 6 2.0 2.0
3 郭德成 内蒙古民族大学物理与电子信息学院 7 13 2.0 3.0
4 李双 内蒙古民族大学物理与电子信息学院 9 20 3.0 3.0
5 李之杰 内蒙古民族大学物理与电子信息学院 24 42 3.0 5.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
类金刚石薄膜
入射角
离子束辅助沉积
分子动力学模拟
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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