单晶铜纳米线屈服机理的原子模拟研究

• 作者: 单德彬 徐振海 袁林 郭斌
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米线 屈服 位错 分子静力学
• 年，卷（期）: 2009,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 4835-4839
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.07.071

摘要

采用分子静力学方法模拟了〈100〉单晶铜纳米线的拉伸变形过程,研究了纳米线屈服的机理. 结果表明:1) 纳米线初始屈服通过部分位错随机激活的{111}〈112〉孪生实现,后继屈服通过{111}〈112〉部分位错滑移实现;2) 纳米线变形初期不同滑移面上的部分位错在两面交线处相遇形成压杆位错,变形后期部分位错在刚性边界处塞积,两者都阻碍位错滑移,引起一定的强化作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭斌	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	72	799	17.0	25.0
2	单德彬	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	111	1186	19.0	29.0
3	袁林	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	12	215	7.0	12.0
4	徐振海	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	34	2.0	2.0