Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

• 作者: 张义门 张林 张玉明 韩超 马永吉
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳化硅 肖特基 辐照效应 偏压
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2737-2741
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.096

摘要

对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30 V偏压.经过1 Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降,这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明,辐照偏压对Ni/4H-SiC SBD的辐照退化效应没有明显的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	126	777	15.0	20.0
3	张林	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	9	61	3.0	7.0
4	韩超	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	2	15	2.0	2.0
5	马永吉	西安电子科技大学微电子学院教育部宽禁带半导体材料重点实验室	1	9	1.0	1.0