嵌入T型耦合双量子点介观A-B环系统的显著Fano 效应

• 作者: 宋克慧 施振刚 谌宝菊 谌雄文
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 耦合量子点 持续电流 Kondo效应 Fano效应
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2720-2725
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 4822字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.093

摘要

利用平均场近似理论,研究了一个嵌入T型弱耦合双量子点的介观环系统的基态性质. 结果表明,体系中复杂的基态性质源于Kondo效应与Fano效应相互竞争. 当介观环的尺寸达到足以产生完全Kondo共振时,随双量子点间耦合强度的增强,尖锐的持续电流峰出现了,且越发显著,这说明体系中存在着显著的Fano 效应. 但介观环的Kondo共振持续电流峰值却几乎不发生变化,这为测定Kondo 屏蔽云提供了一个新的可能模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谌雄文	怀化学院物理与电子信息科学系	20	18	2.0	3.0
5	宋克慧	怀化学院物理与电子信息科学系	23	176	8.0	13.0
9	施振刚	怀化学院物理与电子信息科学系	17	14	2.0	3.0
13	谌宝菊	怀化学院物理与电子信息科学系	15	18	2.0	3.0