氧空位对钴掺杂氧化锌半导体磁性能的影响

• 作者: 金国钧 陈静 马余强
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Co掺杂ZnO 稀磁半导体 第一性原理计算 氧空位缺陷
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2707-2712
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.091

摘要

从实验和理论上阐述了氧空位对Co掺杂ZnO半导体磁性能的影响.采用磁控溅射法在不同的氧分压下制备了Zn0.95Co0.05O薄膜,研究了氧分压对薄膜磁性能的影响.实验结果表明,高真空条件下制备的Zn0.95Co0.05O薄膜具有室温铁磁性,提高氧分压后制备的薄膜铁磁性逐渐消失.第一性原理计算表明,在Co掺杂ZnO体系中引入氧空位有利于降低铁磁态的能量,铁磁态的稳定性与氧空位和Co之间的距离密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈静	南京大学物理系	14	33	3.0	5.0
5	金国钧	南京大学物理系	15	72	4.0	8.0
6	马余强	南京大学物理系	3	118	2.0	3.0