掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

• 作者: 张跃 李会峰 王建 赵婧 高祥熙 黄运华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In掺杂 ZnO 纳米阵列 光致发光
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2702-2706
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.090

摘要

通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌(In/ZnO)纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为400 nm,长为2-3 μm.能量色散谱和X射线光电子能谱分析表明, 六棱柱状的纳米阵列中成功地进行了In 的掺杂,含量约为0.8%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位有红移,峰的半高宽变大, 没有观察到绿光发射峰位.拉曼光谱显示出ZnO的峰位有不同程度的偏移,并且有新的峰位出现,这表明In的掺杂有效地取代了部分Zn的晶格.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张跃	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	85	559	13.0	20.0
5	黄运华	北京科技大学材料物理与化学系	33	243	11.0	14.0
6	王建	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	5	59	4.0	5.0
7	李会峰	北京科技大学新金属材料国家重点实验室	2	20	2.0	2.0
8	高祥熙	北京科技大学材料物理与化学系	1	4	1.0	1.0
9	赵婧	北京科技大学材料物理与化学系	4	16	2.0	4.0