Al和N共掺p型Zn1-xMgxO电子结构的第一性原理计算

• 作者: 刘强 杨向东 程新路 范勇恒
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 密度泛函理论 Zn1-xMgxO 电子结构 共掺杂
• 年，卷（期）: 2009,（4）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 2684-2691
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.04.087

摘要

采用密度泛函理论下的第一性原理平面波超软赝势方法,对Zn1-xMgxO超晶胞和掺杂Al,N后的Zn1-xMgxO超晶胞分别进行了优化计算.结合广义梯度近似计算了Al和N共掺杂后Zn1-xMgxO的能带结构、电子态密度和Mulliken电荷布居分布.计算表明:掺入N原子的2p态电子为Zn1-xMgxO价带顶提供空穴载流子,使Zn1-xMgxO价带顶向高能方向移动;掺入Al原子的3p态电子则与N原子的2p态电子在费米能级附近发生轨道杂化,使费米能级处价带能级展宽,Al和N共掺杂可获得p型Zn1-xMgxO.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程新路	四川大学原子与分子物理研究所	174	597	12.0	14.0
2	杨向东	四川大学原子与分子物理研究所	278	1103	14.0	21.0
3	刘强	四川大学原子与分子物理研究所	66	449	13.0	19.0
5	范勇恒	中国工程物理研究院激光聚变研究中心	12	40	4.0	5.0