65-90 nm技术节点的WCA模型和提取算法

• 作者: 王俊平 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 缺陷空间分布 缺陷粒径分布 关键面积 版图优化
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 4267-4273
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.103

摘要

在90 nm和65 nm技术节点,集成电路制造业的投资剧增而随机成品率却在下降低.为了提升随机成品率,带权关键面积的(WCA)计算和排序是关键.文中基于数学形态学提出了一种随机缺陷轮廓的WCA新模型,该模型不仅考虑了90 nm和65 nm工艺中缺陷在布线区域和空白区域的不同密度,而且也考虑了缺陷在粒径上的分布特性;同时还设计并实现了与新模型对应的WCA提取与排序算法,部分版图上的实验结果表明新WCA可以作为版图优化的代价函数,从而为随机缺陷的版图优化提供了精确依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝跃	西安电子科技大学微电子学院	312	1866	17.0	25.0
2	王俊平	西安电子科技大学通信工程学院	31	284	10.0	16.0