椭圆偏振技术研究VHF-PECVD高速沉积微晶硅薄膜的异常标度行为

• 作者: 丁艳丽 卢景霄 杨仕娥 谷锦华 郜小勇 陈永生
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅薄膜 椭偏光谱法 生长机制 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、执掌和力学性质
• 页码范围: 4123-4127
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.079

摘要

采用VHF-PECVD技术高速沉积了不同生长阶段的微晶硅薄膜,通过椭圆偏振技术研究了生长过程中微晶硅薄膜表面粗糙度的演化.实验结果表明,沉积气压Pg=300 Pa时,β=0.81,其超出标度理论中β最大值为0.5范围,出现异常标度行为.这表明微晶硅薄膜高速生长中还存在其他粗糙化增加的因素,此粗糙化增加的因素与阴影作用有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁艳丽	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	3	11	2.0	3.0
2	谷锦华	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	25	103	6.0	8.0
3	郜小勇	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	52	301	10.0	14.0
4	陈永生	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	67	484	11.0	19.0
5	杨仕娥	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	68	513	12.0	18.0
6	卢景霄	郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室	100	570	12.0	17.0