微波ECR磁控溅射制备SiNx薄膜的XPS结构研究

• 作者: 丁万昱 徐军 董闯 邓新绿 陆文琪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiNx 磁控溅射 XPS 化学键结构
• 年，卷（期）: 2009,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、执掌和力学性质
• 页码范围: 4109-4116
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2009.06.077

摘要

利用微波电子回旋共振等离子体增强非平衡磁控溅射法在不同N2流量下制备无氢SiNx薄膜.通过X光电子能谱、纳米硬度仪等表征技术,研究了不同N2流量下制备的SiNx薄膜的化学键结构、化学键含量、元素配比及各元素沿深度分布.研究结果表明,N2流量是影响SiNx薄膜化学键结构、元素配比、元素延深度分布等性质的主要因素.在N2流量为1 sccm的条件下制备的SiNx薄膜呈富Si态;在N2流量为2 sccm的条件下制备的SiNx薄膜中Si-N键含量最高,可达到94.8%,化学吸附主要发生在薄膜表面,同时薄膜具有较好的机械性能,硬度值可达到22.9 GPa;在N2流量为20 sccm条件下制备的SiNx薄膜,薄膜表面含有46.8%的N-Si-O键及18.6%的Si-O键结构,薄膜内部含有36.8%的N-Si-O键及12.5%的Si-O键结构,表明薄膜结构疏松,在空气中易被氧化,化学吸附在薄膜表面及内部同时发生,因此薄膜具有较差的机械性能,硬度值仅为12 GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓新绿	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	28	356	9.0	17.0
2	董闯	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	198	2023	23.0	34.0
3	丁万昱	大连交通大学光电材料与器件研究所	10	77	6.0	8.0
5	徐军	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	51	346	11.0	14.0
6	陆文琪	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	13	101	7.0	9.0