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自举高端驱动浮动地负过冲闭锁问题
自举高端驱动浮动地负过冲闭锁问题
作者:
王友军
原文服务方:
现代电子技术
高压集成电路
功率MOS栅驱动集成电路
电平位移
自举
闭锁
摘要:
高压栅极驱动集成电路的实现中都设计有一定的开关噪声耐量,然而,由于结构上不是完全电隔离的,对噪声自然敏感,用于驱动感性负载时,开关换流期在高端浮动地上产生的过负压会使芯片闭锁,导致芯片高端驱动输出失常,甚至电路毁坏,就过负压产生原因、闭锁机理及在驱动集成电路的高端浮动地与桥输出之间加入电阻网络等电路级抑制措施进行了详细分析和介绍.
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文献信息
篇名
自举高端驱动浮动地负过冲闭锁问题
来源期刊
现代电子技术
学科
关键词
高压集成电路
功率MOS栅驱动集成电路
电平位移
自举
闭锁
年,卷(期)
2009,(21)
所属期刊栏目
电子技术
研究方向
页码范围
182-185
页数
4页
分类号
TM464
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1004-373X.2009.21.057
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王友军
解放军理工大学理学院
16
69
5.0
8.0
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
版权信息
全文
全文.pdf
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研究主题发展历程
节点文献
高压集成电路
功率MOS栅驱动集成电路
电平位移
自举
闭锁
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
主办单位:
陕西电子杂志社
出版周期:
半月刊
ISSN:
1004-373X
CN:
61-1224/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1977-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
0
总被引数(次)
135074
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