原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器.为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应NAND类型存储器的随机错误特点.该控制器可支持多种类型的NAND FLASH.另外,对一种基于伯利坎普-梅西算法的高效BCH编解码器VLSI结构进行了研究,采用一种简化伯利坎普-梅西算法实现的低复杂度的关键方程解算机消除其速度瓶颈.芯片采用SMIC 0.13 μm CMOS工艺.测试结果证明,设计电路完全符合系统规范,性能表现优良.
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文献信息
篇名 一种含BCH编解码器的SLC/MLC NAND FLASH控制器的VLSI设计
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 MLC NANDFLASH控制器 BCH 编解码 伯利坎普-梅西算法 VLSI
年,卷(期) 2009,(7) 所属期刊栏目 电子技术
研究方向 页码范围 167-170
页数 4页 分类号 TN41
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2009.07.051
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李璐 东南大学专用集成电路系统国家工程技术研究中心 1 33 1.0 1.0
2 周海燕 东南大学专用集成电路系统国家工程技术研究中心 2 42 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
MLC NANDFLASH控制器
BCH
编解码
伯利坎普-梅西算法
VLSI
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
总下载数(次)
0
总被引数(次)
135074
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