双口RAM设计调试

• 作者: 关红宾
• 来源期刊: 科技信息
• 关键词: 双口RAM 电平匹配 握手应答信号
• 年，卷（期）: 2009,（29）
• 所属期刊栏目: 科教前沿3
• 页码范围: 798-799
• 页数: 2页
• 字数: 3903字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9960.2009.29.636

摘要

本文介绍双口RAM的设计调试,主要就电平的匹配,握手应答信号等方面进行设计,并针对调试中出现的问题(如器件选型不当、逻辑设计不完善、低温异常)给予分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	关红宾	中国电子科技集团公司第二十研究所	5	4	1.0	1.0