一种1V 2.4G CMOS高线性度混频器

• 作者: 刘飞 王春华
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 低电压 高线性度 射频 CMOS混频器
• 年，卷（期）: 2009,（5）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 257-259
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2009.05.107

摘要

本文提出了一种低电压、高线性度CMOS射频混频器.在LC折叠式共源共栅结构中,通过并联一工作在弱反应区的辅助MOS管的方法来改善线性度.在1V的工作电压下,采用TSMC0.18μm射频CMOS工艺仿真表明,该方法在基本不影响混频器其它参数如增益、功耗、噪声的条件下ⅡP3提高了6dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王春华	湘潭大学信息工程学院	45	210	8.0	12.0
2	刘飞	湖南大学计算机与通信学院	10	194	6.0	10.0