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摘要:
随着半导体技术的不断发展,集成电路的线宽在不断减小,对硅抛光片表面质量的要求也越来越高.为使芯片上的器件功能正常,避免硅片制造中的沾污是绝对必要的.传统的RCA清洗方法已不能满足其需求.因此,必须发展新的清洗方法.本文对传统的RCA清洗方法进行了简单的介绍,在此基础上.介绍新发展的HF/O3清洗法,从而对450mm硅片清洗方法的未来发展方向进行了简单论述.
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文献信息
篇名 现代微电子行业的新型湿法清洗工艺
来源期刊 电脑知识与技术 学科 工学
关键词 微电子 清洗 臭氧
年,卷(期) 2009,(10) 所属期刊栏目 计算机工程应用技术
研究方向 页码范围 2771-2772
页数 2页 分类号 TP332
字数 3494字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1009-3044.2009.10.095
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张建新 天津工业大学信息与通信工程学院 19 102 6.0 9.0
2 于艳伯 天津工业大学信息与通信工程学院 2 2 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
微电子
清洗
臭氧
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
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电脑知识与技术
旬刊
1009-3044
34-1205/TP
大16开
安徽省合肥市
26-188
1994
chi
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