铜丝球键合工艺及可靠性机理

• 作者: 丁荣峥 任春岭 高娜燕 鲁凯
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 铜丝 键合工艺 可靠性 失效模式
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 封装、组装与测试
• 页码范围: 1-6,10
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 5455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.02.001

摘要

文章针对铜丝键合工艺在高密度及大电流集成电路封装应用中出现的一系列可靠性问题,对该领域目前相关的理论和研究成果进行了综述,介绍了铜丝球键合工艺、键合点组织结构及力学性能、IMC生长情况、可靠性机理及失效模式.针对铜丝球键合工艺中易氧化、硬度高等难点,对特定工艺进行了阐述,同时也从金属间化合物形成机理的角度重点阐述了铜丝球键合点可靠性优于金丝球键合点的因为.并对铜丝球键合及铜丝楔键合工艺前景进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁荣峥		12	100	5.0	9.0
2	任春岭		5	57	3.0	5.0
3	鲁凯		2	47	2.0	2.0
4	高娜燕		3	19	2.0	3.0