Nb掺杂影响NiTi金属间化合物电子结构的第一性原理计算

• 作者: 吴红丽 宫声凯 赵新青
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: NiTi金属间化合物 点缺陷 电子结构 第一性原理计算
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学物质
• 页码范围: 515-520
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 语种: 中文

摘要

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Nb元素掺杂对B2构型NiTi金属间化合物电子结构的影响.点缺陷生成能的计算结果表明,Nb原子掺杂后,NiTi中产生Ni原子和Ti原子空位和反位点缺陷所需要的能量均明显升高;态密度计算结果表明,Nb原子掺杂后与临近原子发生了明显的s-s,p-p和d-d电子相互作用,增加了与临近原子之间的电荷密度,有利于Nb与合金原子的成键.这些由Nb掺杂所导致的NiTi电子结构和键合特征的变化均有利于促进Nb与合金原子的相互作用,在一定程度上束缚了合金原子的迁移,有利于提高NiTi合金的抗氧化性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宫声凯	北京航空航天大学材料科学与工程学院	101	1626	20.0	36.0
2	赵新青	北京航空航天大学材料科学与工程学院	23	136	8.0	11.0
3	吴红丽	北京航空航天大学材料科学与工程学院	8	40	4.0	6.0