半绝缘SiC单晶电阻率均匀性研究

• 作者: 严如岳 冯玢 吴华 洪颖 王香泉 郝建民
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 电阻率 均匀性 非接触电阻率面分布 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 121-124
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2857字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.02.006

摘要

采用非接触电阻率面分布(COREMA)方法对本实验室生长得到的2英寸(50 mm)4H和6H晶型半绝缘SiC单晶片进行电阻率测试,结果发现数据的离散性大,低者低于测试系统下限10~5Ω·cm,高者高于其上限10~(12)Ω·cm,甚至在同一晶片内会出现小于10~5Ω·cm,10~5～10~(12)Ω·cm和大于10~(12)Ω·cm的不同区域,而有的晶片则电阻率的均匀性较好.将SiC电阻率测试结果与二次离子质谱(SIMS)对晶体内主要杂质V,B和N含量测试结果相结合,初步探讨得到引起掺钒SiC单晶电阻率的高低及均匀性的变化由补偿方式决定,在深受主补偿浅施主模式下,V的浓度控制在2×10~(16)～3×10~(17)cm~(-3),N的浓度控制在1×10~(16)cm~(-3)左右,深受主钒充分补偿浅施主氮,制备得到的SiC单晶具有半绝缘性,且电阻率均匀性好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪颖	中国电子科技集团公司第四十六研究所	15	36	3.0	5.0
2	郝建民	中国电子科技集团公司第四十六研究所	23	56	4.0	6.0
3	冯玢	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	26	3.0	4.0
4	王香泉	中国电子科技集团公司第四十六研究所	8	24	2.0	4.0
5	严如岳	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	50	5.0	6.0
6	吴华	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	11	2.0	3.0