Ni增强Er在富硅氮化硅薄膜中的光致发光

• 作者: 冉广照 孙凯 徐万劲
• 来源期刊: 北京大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 富硅氮化硅 Er Ni 光致发光
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 12-16
• 页数: 5页
• 分类号: O469|O472|O484
• 语种: 中文

摘要

采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅(SRN∶Er)薄膜和SRN∶Er/Ni 3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验.SRN∶Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750 nm的发光带和一个峰位在1.54 μm的发光带,前者来源于SRN薄膜中的纳米硅,后者为Er~(3+)的特征发射.SRN∶Er/Ni超晶格的光致发光谱上出现Er~(3+)在520,550和850 nm附近的精细结构,并且Er~(3+)在1.54 μm的发光有12倍的增强.光谱精细结构的出现证明Er~(3+)的微观环境由于掺Ni而变得有序.与在SRN中相比,在这种有序环境中Er~(3+)的光学活性有明显的增强.拉曼散射光谱测量证明在SRN∶Er /Ni超晶格中纳米硅的数目比在SRN∶Er薄膜中有一定的增加.因而,Er~(3+)1.54 μm发光12倍的增强是Er~(3+)本身光学活性的增强和纳米硅数目的增加共同作用的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙凯		15	55	3.0	7.0
2	冉广照		10	19	2.0	4.0
3	徐万劲		9	351	2.0	9.0