0.8μm多晶栅等离子刻蚀研究

• 作者: 刘国柱 李幸和 王春栋 赵金茹 顾爱军
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶刻蚀 倾斜角度 最优化条件 等离子
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 37-40
• 分类号: TN305
• 字数: 1926字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2010.08.009

摘要

文章基于Mintab软件,运用Precision 5000等离子刻蚀技术研究0.8μm多晶栅刻蚀中功率、压力、HBr流量、Cl2流量对刻蚀效果的影响.获得了四个因素对刻蚀效果影响的主次关系,同时由Mintab软件分析获得了各因子效应的pareto图,各因素对多晶条倾斜角度影响的主效应图,各因子对刻蚀效果的正态分布图,并拟合获得了多晶栅刻蚀的最优化条件.运用最优化条件刻蚀多晶栅,其结果表明剖面倾斜角度及表面形貌均能达到MOS器件的工艺制造要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵金茹		2	4	1.0	2.0
2	顾爱军		3	4	1.0	2.0
3	王春栋		1	1	1.0	1.0
4	李幸和		1	1	1.0	1.0
5	刘国柱		1	1	1.0	1.0