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摘要:
采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜.借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响.结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1~3nm厚的过渡层后,160nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响.
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关键词云
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文献信息
篇名 Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响研究
来源期刊 电子元件与材料 学科 工学
关键词 AZO Al2O3过渡层 磁控溅射 电阻率 透射率
年,卷(期) 2010,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-4
页数 分类号 TB332
字数 2984字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.12.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨超 南京航空航天大学材料科学与技术学院 17 74 5.0 8.0
2 沈鸿烈 南京航空航天大学材料科学与技术学院 93 264 9.0 10.0
3 江丰 南京航空航天大学材料科学与技术学院 17 57 5.0 6.0
4 鲁林峰 南京航空航天大学材料科学与技术学院 14 62 6.0 7.0
5 罗军 南京航空航天大学材料科学与技术学院 1 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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AZO
Al2O3过渡层
磁控溅射
电阻率
透射率
研究起点
研究来源
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期刊影响力
电子元件与材料
月刊
1001-2028
51-1241/TN
大16开
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
62-36
1982
chi
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