超导纳米线单光子探测器件的制备

• 作者: John Jesudasan Mintu Mondal Pratap Raychaudhuri Sanjeev Kumar 尤立星 张礼杰 杨晓燕 黄少铭
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 物理学
• 关键词: 超导纳米线单光子探测器 电子束曝光 反应离子刻蚀 探测效率
• 年，卷（期）: 2010,（11）
• 页码范围: 1-4
• 分类号: O51
• 字数: 1033字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2010.11.001

摘要

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件.文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件.器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm.超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的.所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%.