在侧壁形成导热膜的GaN基发光二极管

• 作者: 张艺影 章放
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 发光二极管 GaN 导热层 氮氧化铝
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 360-362
• 分类号: TN312.8
• 语种: 中文

摘要

研制了一种在侧壁形成导热膜的GaN基发光二极管(LED),其中导热层由氮氧化铝形成,导热层外再覆盖一保护层,保护层选自氧化物、氮化物或氟化物.对LED进行电流加速老化实验,分析输出功率随老化时间的变化关系,可以看到侧壁形成导热膜的GaN基LED的输出功率衰减缓慢.实验表明由于氮氧化铝膜具有良好的导热性,其可以有效地耗散发光部分产生的热量,因此在器件侧壁形成AlON导热膜可以改善GaN基LED的输出特性并提高器件的可靠性.

作者信息

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1	张艺影		1	0	0.0	0.0