沿面闪络和丝状电流对光电导开关的损伤机理

• 作者: 施卫 纪卫莉 薛红 马湘蓉
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半绝缘GaAs光电导开关 沿面闪络 丝状电流 损伤
• 年，卷（期）: 2010,（10）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 129-135
• 分类号: TN36
• 字数: 5971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-6753.2010.10.020

摘要

通过对电极间隙为3mm和8mm半绝缘GaAs光电导开关损伤实验研究发现,引起开关损伤的主要机制是沿面闪络和丝状电流.沿面闪络是在高偏置电压条件下GaAs材料在热传导过程中表现的熔化-再结晶现象,对开关造成了致命性损伤;而丝状电流是开关在非线性工作模式下由于存在负微分电导效应(NDC),形成的高浓度电子-空穴等离子体通道,芯片内产热和冷却之间达到了动态平衡,开关处于光控预击穿状态,存在可恢复性和不可恢复性两类损伤.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛红	西安理工大学数理学院	38	78	5.0	7.0
3	施卫	西安理工大学数理学院	85	925	17.0	25.0
4	马湘蓉	西安理工大学数理学院	5	29	3.0	5.0
5	纪卫莉	西安理工大学数理学院	11	111	6.0	10.0