储能晶界层电容材料的研究进展

• 作者: 叶中郎 朱泽华 谢兆军
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 储能电容 晶界层材料 综述 掺杂 包覆
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 66-69
• 分类号: TM28
• 字数: 3806字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2010.08.019

摘要

介绍了晶界层材料的储能优势,分析了晶界层材料的储能原理.综述了BaTiO3和CaCu3Ti4O12等晶界层电容器材料的研究现状,并对晶界层储能电容所需的高介电常数和高击穿电压,以及实现这一性能须采取的改性包覆等措施进行了总结与展望.