低介电常数硅基薄膜后处理的研究进展

• 作者: 何志巍
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 低介电常数 纳米多孔材料 硅基氧化物 溶胶-凝胶
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 38-42,46
• 分类号: TM6160|TM4278H|TM6170
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2010.03.010

摘要

综述了近年来国际上低介电常数纳米多孔SiOx薄膜材料的发展状况,重点论述了其后处理原理及工艺、材料结构特点及存在的缺陷,分类指出了后处理方法对材料改性的影响及存在的问题,同时提出了未来的研究方向和发展前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何志巍	中国农业大学理学院应用物理系	19	21	2.0	4.0