用动态膜技术回收半导体加工中的含硅废水

• 作者: 张扬 杨凤林 柳丽芬 闫晗
• 来源期刊: 膜科学与技术
• 学科: 工学
• 关键词: 动态膜 微滤 半导体废水 硅回收
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 89-93
• 分类号: TQ028.8
• 字数: 3479字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-8924.2010.05.018

摘要

应用动态膜技术回收半导体厂晶片切割废水,研究了动态膜的形成条件及其水处理效果.通过恒压过滤形成动态膜:恒压过滤压差5 kPa,曝气强度10 L/min,过滤高浓度(TS＝1 800 mg/L)含硅废水,形成了均匀而阻力较小的动态膜;之后在一定的过滤运行条件下,研究膜过滤低浓度晶片切割废水的运行周期和水处理效果:要处理的废水TS(总固形物)=40mg/L,恒速过滤滤速为0.6 m/d,曝气量为15 L/min.结果表明:该动态膜可保护基膜不被污染,维持较长的过滤周期,稳定运行时间达260～360 h.膜过滤单元中的TS(总固形物)可被浓缩达到1 200 mg/L.动态膜对原水浊度、TS的去除效果很好,产水水质稳定,浊度为0.14NTU,TS几乎为0,SDI15为0.5,电导率为12μS/cm,满足反渗透深度处理的进水要求.当压力上升至14 kPa时,排出浓缩液、用产水冲刷清洗基膜表面的滤饼层,以回收高纯硅,同时基膜经过擦洗后通量可以完全恢复.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	柳丽芬		6	50	4.0	6.0
2	杨凤林		8	151	5.0	8.0
3	闫晗		1	2	1.0	1.0
4	张扬		1	2	1.0	1.0