铯分子饱和吸收谱的半导体激光器稳频

• 作者: 姬中华 孟腾飞 武寄洲 武跃龙 贾锁堂 赵延霆
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光光学 稳频 饱和吸收光谱 铯分子 半导体激光器
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 1182-1185
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103705.1182

摘要

利用饱和吸收的方法得到了铯分子在780 nm附近X1∑+G→B1Πu能级跃迁吸收带的一段饱和吸收谱,利用铷87Rb原子饱和吸收谱的5S1/2(F=2)→5P3/2(F1=2)的跃迁线为标准确定这一段饱和吸收谱的位置.实验中对其中的5条吸收峰进行了仔细观测,利用其中的一条饱和吸收峰"R5"对780 nm半导体激光器进行了稳频.测得稳频后的激光在800 s内频率的漂移小于1.5 MHz,从而提供了一种利用铯分子饱和吸收峰对780 nm半导体激光器进行稳频的新方法.此激光可以用于制备超冷基态铯分子,同时也可作为光通信波段1560 nm处的倍频参考光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾锁堂		77	381	12.0	17.0
2	武寄洲		2	0	0.0	0.0
3	武跃龙		2	3	1.0	1.0
4	赵延霆		12	86	5.0	9.0
5	孟腾飞		1	0	0.0	0.0
6	姬中华		1	0	0.0	0.0