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ESD-Induced Noise to Low Noise Amplifier Circuits in BiCMOS
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摘要：
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文献信息
| 篇名 | ESD-Induced Noise to Low Noise Amplifier Circuits in BiCMOS | ||
| 来源期刊 | 清华大学学报（英文版） | 学科 | 工学 |
| 关键词 | BiCMOS工艺 低噪声放大器 放大器电路 静电感应 ESD保护结构 射频集成电路 静电放电 噪音分析 | ||
| 年，卷（期） | 2010,（3） | 所属期刊栏目 | INFORMATION SCIENCE AND TECHNOLOGY |
| 研究方向 | 页码范围 | 259-264 | |
| 页数 | 分类号 | TN305|TN722.3 | |
| 字数 | 语种 | 英文 | |
| DOI | |||
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射频集成电路
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研究来源
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期刊影响力
清华大学学报自然科学版(英文版)
主办单位：
清华大学
出版周期：
双月刊
ISSN：
1007-0214
CN：
11-3745/N
开本：
16开
出版地：
北京市海淀区双清路学研大厦B座908
邮发代号：
创刊时间：
1996
语种：
eng
出版文献量（篇）
2269
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