一种新型大功率单发射腔半导体激光器及其特性

• 作者: 刘兴胜 吴迪 张彦鑫 杨凯 王警卫 马幼龙
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 半导体激光器 高功率 单发射腔 热阻 特征温度
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 实验技术与元件
• 页码范围: 1186-1191
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL20103705.1186

摘要

介绍了一种新型808 nm大功率单发射腔半导体激光器(F-mount).该激光器采用不同于商业化单发射腔半导体激光器的C-mount封装结构设计,散热效果更好.在20℃连续波(CW)运转条件下最大输出功率可达到13.3 W,并且重复实验并未产生光学腔面损伤(COMD).在准连续波(QCW)条件下最大功率可达到30.8 W.通过实验得出该器件的波长漂移系数为0.278 nm/℃,热阻为3.18 K/W,室温下阈值电流特征温度为135 K,室温下斜率效率特征温度为743 K.实验结果表明,该激光器在散热方面优于常用的C-mount封装型单发射腔半导体激光器,并且具有较小的热阻,能够实现更高的功率输出.