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摘要:
针对应用于850 nm光通信中的10/100 Mbit/s收发器,提出采用0.5μm标准CMOS工艺对其光接收芯片实现Si基单片集成.整体芯片面积为0.6 mm~2,共集成了一个双光电二极管的(DPD)光电探测器和一个跨阻前置放大电路,功耗为100 mW,并给出了具体的测试性能结果.结果表明,在850 nm光照下,光接收芯片带宽达到53 MHz,工作速率为72 Mbit/s.重点介绍了DPD光电探测器的原理和结构,并给出了相应的制造过程和电路等效模型,对整个光接收芯片进行了多种实用性测试,可以满足系统的性能要求.
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 光收发器中光电集成接收芯片的实现
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 单片集成 互补型金属氧化物晶体管 双光电二极管 光接收芯片 850 nm光通信
年,卷(期) 2010,(3) 所属期刊栏目 集成电路设计与开发
研究方向 页码范围 291-294
页数 4页 分类号 TN491
字数 2371字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈朝 厦门大学物理与机电工程学院机电工程系 63 420 11.0 18.0
2 程翔 厦门大学物理与机电工程学院机电工程系 23 63 5.0 6.0
3 颜黄苹 厦门大学物理与机电工程学院机电工程系 22 115 7.0 9.0
4 李继芳 厦门大学物理与机电工程学院机电工程系 14 82 5.0 8.0
5 芦晶 厦门大学物理与机电工程学院机电工程系 2 2 1.0 1.0
6 柯庆福 厦门大学物理与机电工程学院机电工程系 2 5 2.0 2.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
单片集成
互补型金属氧化物晶体管
双光电二极管
光接收芯片
850
nm光通信
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
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38
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