单晶硅微薄膜V形缺口疲劳特性研究

• 作者: 刘小冬 周健伟 尚德广 柳会
• 来源期刊: 机械强度
• 关键词: 微机电系统 单晶硅 薄膜 疲劳 断口分析 片外测试
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 790-794
• 分类号: TB302.3|TN304.12
• 语种: 中文

摘要

采用微疲劳试验机与光学显微镜搭建一套微观疲劳试验系统.在室温条件下,通过控制载荷对单侧V形缺口的单晶硅微薄膜进行脉动拉伸疲劳试验,研究其疲劳特性.首先将单晶硅微薄膜V形缺口试样疲劳试验数据与单晶硅微薄膜光滑试样疲劳试验数据进行对比,分析发现V形缺口的引入会使单晶硅试样的疲劳强度及其抵抗弯矩的能力显著降低.试验结果表明,缺口试样发生破坏的应力幅度界限分明,与光滑试样相比,其破坏特性更趋近于宏观脆性断裂.通过扫描电镜分别对单晶硅微薄膜光滑试样与V形缺口试样进行断口分析,发现单晶硅微薄膜在循环应力作用下出现脆性疲劳破坏行为,其断口形貌特征与晶体结构密切相关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尚德广	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	53	512	13.0	21.0
2	柳会	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	2	1	1.0	1.0
3	刘小冬	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	3	1	1.0	1.0
4	周健伟	北京工业大学机械工程与应用电子技术学院	2	4	1.0	2.0