宽带低相位噪声CMOS环型压控振荡器的设计与研究

• 作者: 姚恩义 孙鹏 徐元旭 胡永双 高志强
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 压控振荡器 环型结构 相位噪声
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 页码范围: 572-574
• 分类号: TN492
• 字数: 2146字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2010.05.012

摘要

采用一种环型电路结构,设计了一个1.3GHz宽带线性压控振荡器.采用 TSMC 0.18μm RF CMOS 工艺,利用 CadenceSpectreRF 完成对电路的仿真.结果显示,在电源电压Vdd =1.8 V 时,控制电压范围为 1.0～1.18 V,频率的变化范围为800 MHz～2.1GHz,相位噪声为-105 dBc/Hz@1 MHz.很好地解决了相位噪声与调谐范围之间的矛盾.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙鹏	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	18	180	9.0	12.0
2	徐元旭	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	4	28	4.0	4.0
3	姚恩义	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	3	24	3.0	3.0
4	胡永双	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	3	24	3.0	3.0
5	高志强	哈尔滨工业大学微电子科学与技术系	12	37	4.0	5.0