Si衬底GaN基LED外延薄膜转移至金属基板的应力变化

• 作者: 张萌 江风益 汪延明 熊传兵 熊贻婧 王光绪 肖宗湖
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金属基板 Si衬底 GaN 薄膜 应力
• 年，卷（期）: 2010,（4）
• 页码范围: 531-537
• 分类号: TN304.055
• 字数: 3198字
• 语种: 中文

摘要

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaN MQW LED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)研究了转移的GaN薄膜应力变化.研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的GaN薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的GaN薄膜张应力最小.(2)随着铬基板中铬主体层厚度的增加,转移后的GaN薄膜应力不发生明显变化.