氮化镓功率半导体器件技术

• 作者: 张波 李肇基 汪志刚 邓小川 陈万军
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 功率器件 击穿电压 比导通电阻
• 年，卷（期）: 2010,（1）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 1-10,17
• 页数: 11页
• 分类号: TN304.2|TN305
• 字数: 6890字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2010.01.001

摘要

作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景.随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注.总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	206	1313	17.0	26.0
2	邓小川	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	11	258	5.0	11.0
3	陈万军	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	18	128	4.0	11.0
4	李肇基	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	85	958	14.0	28.0
5	汪志刚	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	64	4.0	8.0