La基高k栅介质的研究进展

• 作者: 宋经纬 方泽波 谌家军 陈伟 马锡英
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 高k栅介质 La基氧化物 二氧化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 摩尔定律
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米材料与结构专辑
• 页码范围: 282-289
• 分类号: O484.4
• 字数: 5785字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.05.005

摘要

SiO2作为栅介质已无法满足MOSFET器件高集成度的需求,高k栅介质材料成为当前研究的热点.综述了高k栅介质材料应当满足的各项性能指标和研究意义,总结了La基高k栅介质材料的最新研究进展,以及在改正自身缺点时使用的一些实验方法,指出了有可能成为下一代MOSFET栅介质的几种La基高k材料.La基高k材料的研究为替代SiO2的芯片制造工艺提供优异的候选材料及理论指导,这是一项当务之急且浩大的工程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方泽波	绍兴文理学院物理与电子信息系	15	18	2.0	3.0
2	谌家军	西华师范大学物理与电子信息学院	28	114	6.0	8.0
3	陈伟	西华师范大学物理与电子信息学院	9	55	5.0	7.0
5	宋经纬	西华师范大学物理与电子信息学院	2	4	2.0	2.0
9	马锡英	绍兴文理学院物理与电子信息系	10	36	4.0	5.0