超临界二氧化碳(SCCO2)无损伤清洗

• 作者: 惠瑜 景玉鹏 王磊 高超群
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: RCA清洗 硅片清洗 无损伤清洗 超临界二氧化碳 超临界流体 干燥
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 专家论坛
• 页码范围: 65-70,79
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.97
• 字数: 5792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2010.02.001

摘要

简要回顾了传统RCA清洗工艺的历史背景和清洗原理,介绍了RCA清洗随着工艺节点减小存在的局限性.在此基础上,阐述了以超临界二氧化碳(SCCO2)为媒质的新型清洗工艺,该工艺流程可以同时实现超临界流体清洗和干燥.结合自主研发的绿色环保二氧化碳超临界半导体清洗设备,论述了利用SCCO2对Si片进行无损伤清洗的工艺原理和工艺流程.分析了近年来国内外对SCCO2清洗的研究进展,展示了其在清洗方面的巨大潜力以及在微电子行业应用中的有效性和优越性,其研究成果有利于推动下一代清洗工艺的发展.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	346	2763	24.0	41.0
2	景玉鹏	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	10	115	7.0	10.0
3	惠瑜	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	2	20	1.0	2.0
4	高超群	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	6	54	4.0	6.0