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摘要:
半导体硅料含杂质时,其电化学势能和表面活性也随之发生变化,重掺硅料比掺杂浓度低的硅料化学电动势大,在混酸溶液中反应速率快,低浓度掺杂的合格料和高浓度掺杂的重掺料就有了选择性腐蚀效果.基于这一原理研究了一种化学腐蚀除重掺的方法.
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文献信息
篇名 一种化学腐蚀去除硅料中重掺的方法
来源期刊 太阳能 学科 工学
关键词 重掺 化学腐蚀 硅料 混酸溶液
年,卷(期) 2010,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 23-25
页数 分类号 TM92|TK51
字数 2572字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-0417.2010.12.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王丽 2 1 1.0 1.0
2 汪贺杏 2 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
重掺
化学腐蚀
硅料
混酸溶液
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太阳能
月刊
1003-0417
11-1660/TK
16开
北京市海淀区花园路3号
2-164
1980
chi
出版文献量(篇)
5613
总下载数(次)
10
总被引数(次)
15507
论文1v1指导