碱性条件下硬盘NiP基板抛光速率正交试验分析

• 作者: 刘玉岭 刘金玉 穆会来 项霞
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硬盘NiP基板 化学机械抛光 碱性抛光液 抛光速率 正交试验
• 年，卷（期）: 2010,（8）
• 页码范围: 753-756
• 分类号: TN305.2|TN304.21
• 字数: 2567字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.08.002

摘要

利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验.针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这一特性,应用正交试验方法分析了CMP中5个重要工艺参数(抛光压力、抛光液流量、抛光盘转速、抛光液浓度,氧化剂质量分数)对硬盘NiP基板抛光去除速率的影响规律,并结合抛光机理对其进行了分析.试验分析表明,抛光压力为0.2 MPa,抛光液流量为500 mL/min,抛光盘转速为50 r/min,磨料质量分数为20%,氧化剂体积分数为0.3%时,可以得到较高的抛光速率,为740 nm/min.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘金玉	河北工业大学微电子研究所	4	22	2.0	4.0
2	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
3	项霞	河北工业大学微电子研究所	2	18	1.0	2.0
4	穆会来	河北工业大学微电子研究所	2	6	1.0	2.0