铈离子对镍电结晶过程的影响

• 作者: 方小红 潘秉锁 黄志强
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电结晶 铈 成核机理 交流阻抗
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 页码范围: 23-25
• 分类号: TQ153.2
• 字数: 2111字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2010.03.007

摘要

为了解铈离子对镍电沉积电极过程的影响,采用线性扫描伏安法、单电位阶跃计时电流法、交流阻抗谱等方法,对镍在玻碳电极上的电沉积进行了研究.实验结果表明:CeCl3的加入使镍离子的扩散系数下降、电荷传递电阻增大,加大了镍沉积的阴极极化,同时使电结晶成核速率常数增大,晶体向外生长速度下降.这些变化可能与Ce3+及在沉积过程中形成的Ce3+多核配离子吸附在阴极表面有关.但铈离子的加入没有改变镍在玻碳电极上的电结晶成核机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方小红		14	99	6.0	9.0
2	黄志强		8	31	3.0	5.0
3	潘秉锁		33	243	9.0	14.0