分子动力学模拟样品温度对F刻蚀SiC的影响

• 作者: A. Bogaerts 吕晓丹 宁建平 秦尤敏 苟富君
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学 刻蚀 样品温度 SiC
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 111-115
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2865字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2010.02.03

摘要

利用分子动力学模拟方法研究了在低能F原子刻蚀SiC表面过程中样品温度对刻蚀的影响.由模拟结果可知,随着温度的升高, F在样品表面的沉积量和散射量均呈下降趋势,而发生溅射的F的量和与样品作用生成挥发物质的F的量逐渐增加.Si的刻蚀量均随着温度的升高而升高.样品中Si原子的刻蚀主要是通过生成SiF_4得以实现的,C原子的刻蚀主要是通过生成CF_x(x=1～3)等挥发性物质实现的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕晓丹	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	15	59	4.0	7.0
2	宁建平	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	6	18	2.0	4.0
3	秦尤敏	贵州大学等离子体与材料表面作用研究所	6	18	2.0	4.0