低温漂高PSRR新型带隙基准电压源的研制

• 作者: 吴蓉 张娅妮 荆丽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 基准电压源 自偏置 共源共栅 温度系数 电源抑制比
• 年，卷（期）: 2010,（5）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 503-506
• 分类号: TN432
• 字数: 2243字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.05.022

摘要

利用带隙电压基准的基本原理,结合自偏置共源共栅电流镜以及适当的启动电路,设计了一种新型基准电压源.获得了一个低温度系数、高电源抑制比的电压基准.通过对输出端添加运算放大器,把带隙基准电路产生的1.2V电压提高到3.5V,提高了芯片性能.用Cadence软件和CSMC的0.5μm CMOS工艺进行了仿真,结果表明,当温度在-20～120℃,温度系数为9.3 × 10-6/℃,直流时的电源抑制比为-82 dB.该基准电压源能够满足开关电源管理芯片的使用要求,并取得了较好的效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴蓉	兰州交通大学电子与信息工程学院	31	88	6.0	7.0
2	荆丽	兰州交通大学电子与信息工程学院	2	24	2.0	2.0
3	张娅妮	兰州交通大学电子与信息工程学院	1	14	1.0	1.0