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摘要:
基于MOS器件中SiO2介质材料噪声灵敏表征技术,提出了SiO2介质材料抗辐射能力无损评价方法.结合噪声测试的经验及该模型为理论分析要求,使用LabView平台开发SiO2介质材料抗辐射无损评价系统.本系统由数据采集和数据分析两个部分组成,数据采集部分主要负责噪声时间序列与频谱的采集与保存,数据分析部分的主要功能为时间序和频谱的特征值分析及SiO2介质材料抗辐射能力分析与相应器件的筛选.实验结果表明,软件性能可靠,对MOSFETT抗辐射能力的评价准确.
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文献信息
篇名 基于LabView的SiO2抗辐射能力无损评价系统
来源期刊 电子科技 学科 工学
关键词 LabView SiO2介质材料 抗辐射 无损评价
年,卷(期) 2010,(7) 所属期刊栏目 光电·材料
研究方向 页码范围 48-51,54
页数 分类号 TN304.07
字数 4589字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-7820.2010.07.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杜磊 西安电子科技大学技术物理学院 99 486 13.0 18.0
2 包军林 西安电子科技大学微电子学院 43 306 10.0 16.0
3 李伟华 西安电子科技大学微电子学院 16 98 6.0 9.0
4 张传丰 西安电子科技大学技术物理学院 1 1 1.0 1.0
5 闫家铭 西安电子科技大学技术物理学院 1 1 1.0 1.0
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2010(1)
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研究主题发展历程
节点文献
LabView
SiO2介质材料
抗辐射
无损评价
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技
月刊
1007-7820
61-1291/TN
大16开
西安电子科技大学
1987
chi
出版文献量(篇)
9344
总下载数(次)
32
总被引数(次)
31437
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